| उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
|---|---|
| ब्रांड नाम: | RFan |
| प्रमाणन: | UL |
| मॉडल संख्या: | एमएक्स5069 |
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 3000 |
| मूल्य: | negotiable |
| प्रसव के समय: | 2-4सप्ताह |
| भुगतान शर्तें: | एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, मनीग्राम |
| रिवर्स पोलरिटी प्रोटेक्शन: | हाँ | निर्माता: | एकाधिक निर्माता |
|---|---|---|---|
| अतिप्रवाह संरक्षण: | हाँ | तापमान रेंज आपरेट करना: | -40 डिग्री सेल्सियस से + 125 डिग्री सेल्सियस |
| अधिक वोल्टता से संरक्षण: | हाँ | पैकेज का प्रकार: | सतह माउंट |
| शॉर्ट सर्किट सुरक्षा: | हाँ | ||
| प्रमुखता देना: | 24 वी इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज,ई-फ्यूज इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज,समायोज्य अधिभ्रम सुरक्षा इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज |
||
इलेक्ट्रॉनिक फ़्यूज़ का MX25947 परिवार छोटे पैकेजों में अत्यधिक एकीकृत सर्किट सुरक्षा और पावर प्रबंधन समाधान है। डिवाइस बहुत कम बाहरी घटकों का उपयोग करता है और कई सुरक्षा मोड प्रदान करता है। वे ओवरलोड, शॉर्ट सर्किट, वोल्टेज सर्ज, अत्यधिक इनरश करंट और रिवर्स करंट के खिलाफ प्रभावी हैं। वर्तमान सीमा स्तर को बाहरी अवरोधक के साथ प्रोग्राम किया जा सकता है। ओवरवॉल्टेज से बचाने के लिए एक आंतरिक सर्किट आंतरिक FET को बंद कर देगा। विशेष वोल्टेज रैंप आवश्यकताओं वाले एप्लिकेशन उचित आउटपुट रैंप दर सुनिश्चित करने के लिए dVdT को प्रोग्राम करने के लिए एकल संधारित्र का उपयोग कर सकते हैं।
विशेषताएँ
* ऑपरेटिंग इनपुट वोल्टेज रेंज VIN: 4.5V~24V
* एकीकृत 28mΩ-ऑन MOS फ़ील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर * ओवरवॉल्टेज सुरक्षा के लिए 1.34V संदर्भ
* 1ए से 5ए एडजस्टेबल करंट ILIMIT
* प्रोग्रामेबल आउट स्लीव रेट, अंडरवोल्टेज लॉकआउट (यूवीएलओ)
* अंतर्निहित थर्मल शटडाउन
* 10 पिन DFN3*3 और ESOP8L
अनुप्रयोग
• एडॉप्टर संचालित उपकरण
• हार्ड डिस्क ड्राइव (एचडीडी) और सॉलिड स्टेट ड्राइव (एसएसडी)
• सेट-टॉप बॉक्स
• सर्वर/सहायक (औक्स) पावर
• पंखे की गति का नियंत्रण
• पीसीआई/पीसीआईई कार्ड
आदेश की जानकारी
| भाग संख्या | विवरण |
| एमएक्स25947डी33 | DFN3*3-10L |
| एमएक्स25947ईएस | ईएसओपी-8एल |
| एमपीक्यू | 3000 पीसी |
पैकेज अपव्यय राटिंग
| पैकेट | RθJA (℃/W) |
| DFN3*3-10L | 50 |
| ईएसओपी-8एल | 60 |
अधिकतम निरपेक्ष दर - निर्धारण
| पैरामीटर | कीमत |
| विन | -0.3 से 30V |
| VIN (10 एमएस क्षणिक) | 33V(अधिकतम) |
| बाहर | -0.3 से वीआईएन+0.3 |
| मैं बाहर हूं | 5ए |
| आईएलआईएम, एन/यूवीएलओ, डीवीडीटी | -0.3V से 7V |
| बीएफईटी | -0.3V से 40V |
| जंक्शन तापमान | 150℃ |
| भंडारण तापमान, टीएसटीजी | -55 से 150℃ |
| अग्रणी तापमान (सोल्डरिंग, 10 सेकंड) | 260℃ |
| ईएसडी संवेदनशीलता एचबीएम | ±2000V |
पूर्ण अधिकतम रेटिंग में सूचीबद्ध तनाव से डिवाइस को स्थायी नुकसान हो सकता है। विस्तारित अवधि के लिए पूर्ण अधिकतम रेटिंग शर्तों के संपर्क में रहने से विश्वसनीयता प्रभावित हो सकती है। अनुशंसित परिचालन शर्तों अनुभाग में बताई गई स्थितियों से परे किसी भी स्थिति में डिवाइस का कार्यात्मक संचालन निहित नहीं है।
अनुशंसित परिचालन शर्तइतिअन
| प्रतीक | श्रेणी |
| विन | 4.5V से 24V |
| डीवीडीटी, एन/यूवीएलओ, ओवीपी | 0V से 6V |
| आईएलआईएम | 0V से 3V |
| मैं बाहर हूं | 0ए से 4ए |
| परिवेश का तापमान | -40~85℃ |
| परिचालन तापमान | -40~125℃ |
टर्मिनल कार्य
| पिन नं. | पिन नाम | विवरण | |
| डीएफएन3*3 | ESOP8 | ||
| 1 | 5 | डीवीडीटी | डिवाइस चालू होने पर आउट की रैंप दर को नियंत्रित करने के लिए इस पिंटो जीएनडी से एक कैपेसिटर बांधें। |
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2 |
6 |
एन/यूवीएलओ |
यह एक डुअल फंक्शन कंट्रोल पिन है। जब एक सक्षम पिन के रूप में उपयोग किया जाता है और नीचे खींचा जाता है, तो यह आंतरिक पास MOSFET को बंद कर देता है। UVLOpin के रूप में, इसका उपयोग बाहरी अवरोधक विभक्त के माध्यम से विभिन्न UVLOtrip बिंदु को प्रोग्राम करने के लिए किया जा सकता है। |
| 3~5 | 7 ,8 | विन | इनपुट आपूर्ति वोल्टेज |
| 6~8 | 1 ,2 | बाहर | डिवाइस का आउटपुट |
| 9 | 3 | आईएलआईएम | इस पिंटो जीएनडी से एक अवरोधक ओवरलोड और शॉर्ट सर्किट सीमा निर्धारित करेगा। |
| 10 | 4 | ओवीपी | अवरोधक विभक्त के माध्यम से बाहरी ओवर वोल्टेज संरक्षण। संदर्भ वोल्टेज 1.34V (सामान्य) है। |
| थर्मल पैड | जी.एन.डी | मैदान | |
विद्युत चरित्रItics
(VIN=12V, VEN/UVLO=2V, RILIM = 100kΩ, CdVdT = खुला। TA=25℃, जब तक अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थिति | मिन | प्रकार. | अधिकतम | इकाई |
| विन पिन | ||||||
| वुवो | यूवीएलओ सीमा बढ़ रही है | 4.0 | 4.2 | 4.5 | वी | |
| यूवीएलओ सीमा गिर रही है | 3.8 | 4.0 | 4.3 | वी | ||
| IQON | आपूर्ति चालू | सक्षम: EN/UVLO = 2V | 0.5 | 0.6 | 0.7 | एमए |
| आईक्यूऑफ़ | एन/यूवीएलओ = 0V | 0.10 | 0.18 | 0.25 | ||
| एन/यूवीएलओ | ||||||
| वेन.आर | EN थ्रेसहोल्ड वोल्टेज, बढ़ रहा है | 1.30 | 1.34 | 1.38 | वी | |
| VENF | EN थ्रेसहोल्ड वोल्टेज, गिरना | 1.25 | 1.30 | 1.35 | वी | |
| आईईएन | EN इनपुट लीकेज करंट | 0V ≤ VEN ≤ 5V | -100 | 0 | 100 | ना |
| डीवीडीटी | ||||||
| आईडीवीडीटी | dVdT चार्जिंग करंट | 0.2 | μA | |||
| RdVdT_disch | dVdT डिस्चार्जिंग प्रतिरोध | 60 | 80 | 100 | Ω | |
| वीडीवीडीटीमैक्स | dVdT अधिकतम संधारित्र वोल्टेज | 5.5 | वी | |||
| GAINdVdT | डीवीडीटी से आउट लाभ | 4.85 | वी/वी | |||
| आईएलआईएम | ||||||
| आईआईएलआईएम | आईएलआईएम पूर्वाग्रह वर्तमान | 0.5 | μA | |||
|
आईओएल |
अधिभार वर्तमान सीमा |
RILIM = 4.3kΩ, VVIN-आउट = 1V | 4.6 | 5 | 5.6 | ए |
| RILIM = 10kΩ, VVIN-आउट = 1V | 2.5 | 3.0 | 3.5 | ए | ||
| RILIM = 51kΩ, VVIN-आउट = 1V | 1.0 | 1.5 | 2.0 | ए | ||
| RILIM = 100kΩ, VVIN-आउट = 1V | 0.8 | 1.0 | 1.5 | ए | ||
| आईओएलआरछोटा | अधिभार वर्तमान सीमा | RILIM = 0Ω, शॉर्टेड रेसिस्टर करंट लिमिट | 1.8 | ए | ||
| प्रतीक | पैरामीटर | परीक्षण की स्थिति | मिन | प्रकार. | अधिकतम | इकाई |
| आईओएल-आर-ओपन | अधिभार वर्तमान सीमा | RILIM = खुला, खुला प्रतिरोधी वर्तमान सीमा | 1.6 | ए | ||
|
आईएससीएल |
शॉर्ट-सर्किट वर्तमान सीमा |
RILIM = 5kΩ, VVIN-आउट = 12V | 4.0 | 4.25 | 4.5 |
ए |
| RILIM = 10kΩ, VVIN-आउट = 12V | 2.76 | 2.88 | 3.0 | |||
| RILIM = 51kΩ, VVIN-आउट = 12V | 1.06 | 1.14 | 1.22 | |||
| RILIM = 100kΩ, VVIN-आउट = 12V | 0.86 | 0.94 | 1.0 | |||
| रतिओफ़ास्ट्रिप | फास्ट-ट्रिप तुलनित्र स्तर wrt अधिभार वर्तमान सीमा | आईफ़ास्ट्रिप: आईओएल | 160 | % | ||
| VOopenILIM | आईएलआईएम ओपन रेसिस्टर थ्रेशोल्ड का पता लगाता है | विलिम का उदय, रिलिम = खुला | 3.2 | वी | ||
| आरडीएस (चालू) | प्रतिरोध पर एफईटी | 21 | 28 | 37 | एमΩ | |
| आईआउट-ऑफ-एलकेजी | आउट बायस करंट ऑफ ऑफ स्टेट में | VEN/UVLO = 0V, VOUT = 0V (सोर्सिंग) | 3 | μA | ||
| आईआउट-ऑफ-सिंक | VEN/UVLO = 0V, VOUT = 300mV (डूबना) | 10 | μA | |||
| ओवीपी | ||||||
| VREF_OVP | बाहरी ओवीपी दहलीज | ओवीपी बढ़ रहा है | 1.30 | 1.34 | 1.38 | वी |
| वीओवीपीएफ | ओवीपी हिस्टैरिसीस | 1.25 | 1.30 | 1.35 | वी | |
| टीएसडी | ||||||
| टीएसएचडीएन | टीएसडी दहलीज, बढ़ रही है | 131 | ℃ | |||
| टीएसएचडीएनहिस्ट | टीएसडी हिस्टैरिसीस | -15 | ℃ | |||
| समय संबंधी आवश्यकताएँ | ||||||
| टन | चालू करने में देरी | EN/UVLO → H से IIN = 100mA, OUT पर 1A प्रतिरोधक भार | 900 | μs | ||
| टॉफ़डली | विलंब बंद करें | 20 | μs | |||
| डीवीडीटी | ||||||
| टीडीवीडीटी |
आउटपुट रैंप समय |
EN/UVLO → H से OUT = 11.7V, CdVdT = 0 | 1 | एमएस | ||
| EN/UVLO → H से OUT = 11.7V, CdVdT = 1nF | 10 | एमएस | ||||
| आईएलआईएम | ||||||
| tFastOffDly | फास्ट-ट्रिप तुलनित्र विलंब | IOUT > IFASTRIP से IOUT= 0 (स्विच ऑफ) | 350 | एन एस | ||
